本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）轮廓欧洲杯体育

堆叠更多的DRAM芯片，为GPU芯片带来更多助力。

据Trendforce 报谈，内存制造商三星、SK 海力士和好意思光但愿堆叠更多 DRAM 芯片。跟着第五代堆叠 DRAM 高带宽内存 (HBM5) 的推出，至少有 20 个内存层。

当今的 HBM3e 栽种使用 8 个 24 千兆位芯片，总容量为 24 千兆字节。12 倍堆叠的 HBM3e 模块（称为 12-Hi）已发布，容量为 36 千兆字节。每个芯片具有疏导容量的 20-Hi 变体的容量为 60 千兆字节，但后者可能会同期加多，以杀青更高的存储量。

高带宽内存的往日。Nvidia 显豁照旧在探求 HBM5。

不外，该家具还需要几年时候才能上市。Trendforce 推断 Nvidia 但愿鄙人一代家具中使用 HBM5。届时它将不再位于 GPU 傍边并通过硅中介层贯穿，而是径直装配在 GPU 上。

Blackwell（B100 和 B200）仍使用 HBM3e。Nvidia已晓示将在 2026 年推出具有八个 HBM4 堆栈的 Rubin；具有 12 个堆栈的改造版块 Rubin Ultra 将于 2027 年问世。具有 HBM4e 的 Rubin 继任者将于 2028 年问世，而具有 HBM5 的继任者最早将于 2029 年问世。

羼杂键合取代焊球

在此之前，制造商必须料理出产问题。到当今终端，他们一直在 DRAM 层之间使用焊球，即所谓的微凸块。三星和好意思光依靠热压缩非导电膜 (TC-NCF) 来杀青相识：他们将一层薄膜贴在单个芯片上，薄膜在高和善高压下溶解，从而将各层粘合在沿途。

SK Hynix 依靠所谓的大规模回流成型底部填充 (MR-MUF) 来改善散热。制造商对此的形容如下：“大规模回流是一种通过溶解堆叠芯片之间的凸块将芯片粘合在沿途的本领。模塑底部填充用保护材料填充堆叠芯片之间的罅隙，以提高耐用性和散热性。MR-MUF 聚积使用回流和成型工艺，将半导体芯片贯穿到电路上，并用液态环氧模塑化合物 (EMC) 填充芯片和凸块罅隙之间的空间。”

但跟着容量和时钟频率的握住提高，组件产生的热量也随之加多。此外，制造商必须检朴空间才能将 20 个内存层压入一个组件中。

据称，该料理决策是羼杂键合，AMD 此前已在其带有堆叠缓存的 Ryzen X3D 处理器中使用过该本领。然后，将系数 DRAM 层磨平，以便它们互相粘合在沿途而莫得焊点（凸块）。为了杀青这少量，制造商必须调换其封装系统。三星好像也但愿将这项本领用于 SSD 的 NAND 闪存。

淌若制造商特意提前蕴蓄该本领训导，16 层堆叠的 HBM4 和 HBM4e 堆叠（16-Hi）也可能领受羼杂键合。关联词，这显豁在本领上还不是必要的。

高堆叠内存的 GPU 在制形本钱上势必会有权臣的升迁。最初，研发新的散热本领、信号处理本领和封装工艺齐需要进入无数的资金。与此同期，该本领还存在诸多挑战。

在一个 GPU 上堆叠 20 个 DRAM 芯片，散热将成为要紧濒临的庞杂挑战。无数芯片在高速运转时会产生可不雅的热量，淌若不成灵验地进行散热处理，将导致芯片性能着落甚而损坏。英伟达将不得不进入无数研发资源来开导新的散热本领。举例，可能会探索更高效的散热材料，从传统的铜基散热片转向石墨烯等具有超高热导率的新式材料。同期，液冷本领也可能会赢得进一步发展和优化，狡计出愈加精采且适配这种高芯片密度的液冷系统，确保每个 DRAM 芯片齐能在合适的温度下职责。

在如斯高密度的芯片堆叠下，信号齐备性亦然一个亟待料理的问题。浩瀚芯片之间的信号传输旅途变得愈加复杂，电磁贬抑、信号蔓延等问题容易出现。英伟达需要在芯片狡计和电路布局上进行改进。比如，领受更先进的布线本领，加多信号屏蔽层来减少电磁贬抑。同期，在芯片之间可能会引入新的信号赔偿和校准机制，及时监测和治疗信号的传输现象，确保从一个 DRAM 芯片到 GPU 中枢的数据传输准确无误，督察通盘系统的高性能运转。

此外，制造工艺将濒临更高的要求。要杀青 20 个 DRAM 芯片的相识堆叠，对芯片的封装工艺建议了近乎尖酸的条款。当今的封装本领可能无法烦扰这种高复杂度的要求，英伟达需要与芯片制造厂商紧密结合，共同研发新的封装工艺。在这个过程中，若何保证高良品率是枢纽。因为跟着制造复杂度的升迁，不良品出现的概率也会加多。这可能需要在出产过程中引入更精密的检测栽种和要领，从芯片原材料的筛选到每一谈出产工序齐进行严格的质料把控，以确保最终家具能够达到预期的性能和可靠性要领。

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